顯示技術(shù)發(fā)展邏輯的兩個(gè)重要要素是提升顯示效果與降低顯示功耗，在巨頭帶動(dòng)效應下，當技術(shù)突破和產(chǎn)能釋放相結合時(shí)，會(huì )迎來(lái)顯示產(chǎn)業(yè)鏈的革命，今年OLED大爆發(fā)即是如此。Micro LED是繼OLED之后新一代的顯示技術(shù)，顯示效果與功耗雙優(yōu)，受巨頭垂青和布局，相關(guān)技術(shù)籌備歷經(jīng)多年，有望在新一代手表產(chǎn)品中率先應用，具備成為另一個(gè)顯示應用爆款的雛形。

　　

　　1.1.WHATISMicro LED？打造微米級像素間距顯示

　　

　　Micro LED技術(shù)是指在一個(gè)芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列，每一個(gè)像素可定址、單獨由TFT驅動(dòng)點(diǎn)亮，像素點(diǎn)距離在微米級。

　　

　　對比Micro LED&小間距LED，燈珠間距是核心差別

　　

　　小間距LED顯示屏由RGB三色芯片組成一個(gè)燈珠，燈珠經(jīng)封裝后安插在顯示屏上。封裝燈珠除了芯片外，其他封裝材料包括支架、硅膠、固晶膠等，占用了巨大的空間。故目前最小的小間距LED燈珠尺寸在0505，即0.5mmx0.5mm。而Micro LED單個(gè)顯示單元直接是微米等級的LED陣列，無(wú)需對單個(gè)顯示單元進(jìn)行封裝，而是對整個(gè)模組進(jìn)行封裝，故其單個(gè)顯示單元大小已經(jīng)可以做到微米級，目前已經(jīng)有10μmX10μm解決方案。

　　

　　燈珠大小決定像素間距：0505小間距封裝，封裝燈珠大小在0.5mm，則它的像素間距極限在0.5mm（如下圖左所示）。而10μmx10μmMicro LED，假設由紅、藍、綠三色顯示單元組成一個(gè)像素，10μm間距的Micro LED顯示單元，其像素間距理論上可以做到最小20μm（排列方式如下圖右所示）。

　　

　　小間距LED由于封裝間距的限制，很難應用到中小尺寸顯示上。如一臺55寸電視，如果要做到4K分辨率（4096x2160），則需要像素間距為0.29mm，目前小間距LED難以達到這樣的間距。而Micro LED微米級別的像素間距使其可以輕松勝任從中小尺寸顯示到中大尺寸顯示等各個(gè)應用場(chǎng)景。

　　

　　1.2.Micro LED應用：大屏顯示切入利基市場(chǎng)，小屏顯示潛在的替代方案

　　

　　1.2.1.大屏應用：

　　

　　大屏應用中Micro LED主要競爭對手正是同樣定位高端大屏顯示的小間距LED。Micro LED相對小間距LED，除了小間距LED也擁有的無(wú)拼縫、高亮度等優(yōu)勢外，還擁有可視角度大、亮度對比度更高、畫(huà)質(zhì)更好等優(yōu)勢：

　　

　　1）可視角度大：相較于傳統的小間距LED顯示屏，由于Micro LED晶片尺寸更小，光學(xué)設計上可以使得可視角度更開(kāi)闊。

　　

　　2）對比度更高：?jiǎn)我淮笃聊＝M上，Micro LED光源占比僅1%，黑色比例高達90%，可以吸收外界光線(xiàn)，達到更好的對比效果。

　　

　　3）畫(huà)質(zhì)更好：支持HDR，擁有十位元色彩深度與更廣的色域。

　　

　　Micro LED價(jià)格顯著(zhù)高于小間距LED，判斷在細分市場(chǎng)先發(fā)力。以索尼CLEDIS顯示屏作為參考，110寸Micro LED顯示大屏價(jià)格在60萬(wàn)美元（等效間距約為1.25mm），而同等間距的小間距LED顯示屏價(jià)格約為10.7萬(wàn)美元（P1.25）。

　　

　　未來(lái)伴隨Micro LED的良率提升，產(chǎn)品量產(chǎn)，預計價(jià)格仍有大幅下降空間。我們判斷Micro LED顯示大屏由于其更出色的顯示效果，將率先應用在包括美術(shù)館、高端車(chē)展等高端細分領(lǐng)域。

　　

　　1.2.2.小屏應用：競爭優(yōu)勢突出，次世代顯示技術(shù)

　　

　　在中小尺寸顯示領(lǐng)域，OLED顯示風(fēng)頭正旺，大有取代LCD液晶屏之勢，我們判斷OLED之所以能受到各大終端廠(chǎng)商的青睞，正是因為其在反應時(shí)間、視角、顯色性、能耗等領(lǐng)域優(yōu)于液晶顯示。而Micro LED在光效、清晰度諸多指標上優(yōu)于OLED，僅從技術(shù)上看完全有機會(huì )取代OLED，有望成為繼OLED之后推動(dòng)顯示質(zhì)量提升的次世代顯示技術(shù)。

　　

　　1）高光效，低功耗：OLED和Micro LED均采用主動(dòng)自發(fā)光技術(shù)進(jìn)行顯示，唯一的區別是OLED為有機材料自發(fā)光；Micro LED采用無(wú)機材料自發(fā)光。我們從原理角度闡釋為何Micro LED發(fā)光效率好于OLED。

　　

　　發(fā)光效率又稱(chēng)為外量子效率，由兩個(gè)因素決定：內量子效率和取出效率。內量子效率是指器件內部由復合產(chǎn)生的輻射光子數與注入器件的電子-空穴對數之比，取決于發(fā)光材料本身的特性和發(fā)光材料壘晶組成及結構；取出效率則指的是發(fā)光器件內部產(chǎn)生的光子，在經(jīng)過(guò)器件本身的吸收、折射、反射后，實(shí)際在器件外部可測量到的光子數目。

　　

　　Micro LED內量子效率優(yōu)于OLED:OLED以有機物作為其發(fā)光材料，而Micro LED則與傳統的LED一樣，采用無(wú)機半導體材料構成PN結。無(wú)機材料分子之間帶隙寬、化學(xué)鍵強，因此具有較大的載流子遷移率。這意味著(zhù)電子可以在無(wú)機材料中高速通過(guò)。而有機材料多是非晶材料，分子間作用很弱，因而載流子的遷移率比無(wú)機半導體材料要小得多。電子在遷移的過(guò)程中隨時(shí)會(huì )受到來(lái)自周?chē)橘|(zhì)的“襲擊”而湮滅，因此遷移速度越高，湮滅概率越小，發(fā)光效率也越高。從材料結構來(lái)看，采用無(wú)機發(fā)光材料的Micro LED內量子效率優(yōu)于OLED。

　　

　　Micro LED取出效率優(yōu)于OLED：OLED采用多層結構，不同介質(zhì)之間的折射率不同，因此有機發(fā)光層發(fā)出的光會(huì )被正面結構全反射掉一部分。光從有機發(fā)光層出發(fā)，40%的光被背部基板吸收，穿過(guò)正面各層消耗40%的光，最后的取出效率大約為20%。而Micro LED預期采用出光效率更高的倒裝封裝工藝，可以避免電極對光線(xiàn)的吸收，同時(shí)剝離襯底以后，光線(xiàn)直接出射，解決藍寶石對出光的影響。據了解采用倒裝結構的LED器件取出效率可達20%以上！

　　

　　高發(fā)光效率主要體現在器件的節能性上，據測算在相同的亮度下，Micro LED比OLED約省電50%?。?）對于手機而言，屏幕耗電占整體耗電量可達40%~80%。Micro LED耗電量大約為OLED的50%，LCD的10%。（2）對于智能手表而言，主要耗電量在于CPU和顯示屏，如果將智能手表的屏幕從當前的OLED改用Micro LED，手表續航時(shí)間有望提升50%，從1天延遲到1.5天。

　　

　　2）畫(huà)質(zhì)好，輕易實(shí)現高PPI：

　　

　　OLED中小尺寸顯示屏進(jìn)行顏色顯示一般采用蒸鍍技術(shù)，通過(guò)電流加熱/離子加熱將紅、綠、藍三色有機發(fā)光體轟擊至ITO玻璃基板上，采用高精度金屬光罩（FinemetalMask）進(jìn)行顏色對齊。當像素因提高分辨率而變小時(shí)，FMM在為像素進(jìn)行圖像成形時(shí)會(huì )有凹陷的問(wèn)題，這也是限制OLED分辨率提升的重要因素，且在像素點(diǎn)間距進(jìn)一步縮小后，實(shí)現精準的色素對位變得更加困難。

　　

　　而Micro LED采用半導體微細加工技術(shù)，可以將芯片尺寸控制在幾微米，畫(huà)質(zhì)提升潛力巨大。以iphone7的4.7英寸屏幕為例，當前屏幕的分辨率為1334×750，PPI為327。若采用10μm間距的Micro LED（10μm是目前業(yè)界做到的最小間距），手機可以輕松實(shí)現8KK顯示。

　　

　　3）超高亮度，強光下實(shí)現良好的顯示效果：

　　

　　LED的一大特性便是超高亮度，從大屏來(lái)看，戶(hù)外LED大屏顯示亮度普遍在8000nits以上，在陽(yáng)光直射下也能清晰的看清屏幕上的文字。而OLED屏由于發(fā)光材料的限制，發(fā)出的光相對更柔和，在戶(hù)外高亮環(huán)境的表現比LED要差。三星note7OLED顯示屏亮度為1000nits，已經(jīng)是最亮的OLED顯示屏，與LED超高亮度的表現仍然有差距。

　　

　　除此以外，Micro LED還有著(zhù)和OLED屏幕一樣高對比度、廣色域、高反應速度等優(yōu)點(diǎn)。高對比度：Micro LED顯示上每個(gè)像素都是由若干微型LED構成，顯示黑色只要對應LED不發(fā)光，不會(huì )出現傳統顯示器泛白的現象。LCD的對比度不會(huì )超過(guò)5000:1，但沒(méi)有漏光現象的OLED與Micro LED對比度理論上可達無(wú)窮，索尼的CLEDIS目前達到1000000:廣色域：Micro LED的色彩飽和度可達140%NTSC，而一般LCD顯示屏的色域只有65%-75%。反應速度快。反應速度比LCD快10倍，非常適合VRAR等對反應速度有較高需求的可穿戴設備應用。

　　

　　1.2.3.看好Micro LED首先應用在智能手機&可穿戴設備等中小屏顯示應用場(chǎng)景

　　

　　中小尺寸面板應用在手機、可穿戴設備等，一方面近距離下畫(huà)質(zhì)改善能使用戶(hù)體驗改善；另一方面移動(dòng)設備續航能力越來(lái)越受到用戶(hù)的重視。這兩個(gè)需求完美契合Micro LED的特點(diǎn)。

　　

　　自從蘋(píng)果發(fā)布了視網(wǎng)膜屏幕以來(lái)，手機廠(chǎng)商對于屏幕質(zhì)量的重視程度與日俱增，以今年發(fā)布的主要機型來(lái)看，PPI普遍超過(guò)了去年九月的IPhone7的327，其中三星旗艦Galaxynote8達到515。Micro LED可以更輕松的實(shí)現高清顯示。而對于智能手表，對PPI要求高的同時(shí)，由于經(jīng)常要在室外使用，對屏幕亮度也有著(zhù)較高需求。Micro LED更易實(shí)現高亮顯示，也更契合智能手表的應用需要。

　　

　　續航問(wèn)題是當下手機行業(yè)的一大痛點(diǎn)，提升屏幕質(zhì)量和手機性能等方面都意味著(zhù)耗費能量的增多。大多手機需要一天一充，從網(wǎng)絡(luò )上的評測可見(jiàn)，保持200nits屏幕亮度下，大多手機撐不到10個(gè)小時(shí)。屏幕耗電占據整體耗電量可達40%~80%，低功耗技術(shù)可以大大延伸手機使用時(shí)間。對于智能手表而言同樣如此，目前蘋(píng)果手表續航也僅有18個(gè)小時(shí)，誰(shuí)也不想在運動(dòng)途中室外手表沒(méi)電，提高手表續航能力符合大眾需求！

　　

　　以智能手機和可穿戴設備為代表的中小尺寸應用若引入Micro LED顯示，將帶來(lái)行業(yè)的又一次震動(dòng)和輪轉。原因在于Micro LED節能效果更優(yōu)于OLED。中小尺寸顯示應用快速發(fā)展，尤其是存量規模巨大的智能手機市場(chǎng)需求變動(dòng)——追求顯示效果的同時(shí)致力于提高手機續航時(shí)間，引發(fā)面板的結構變動(dòng)和品質(zhì)提高。

　　

　　低延時(shí)&視覺(jué)模擬，契合VR設備應用

　　

　　目前以SonyPlaystation和微軟OculusRift為代表的主流VR設備分辨率一般為2K，在近距離接觸人眼的VR頭顯中，2K的分辨率還是可以看到圖像像素邊緣的“鋸齒感”。對于人眼而言，人眼的視角在1度能只能看到60個(gè)像素，所以對于人眼在水平和垂直各1度的小方塊里需要有60*60個(gè)像素，以達到視網(wǎng)膜界別體驗。人在雙眼水平方向具有120度視角，垂直135度視角，整個(gè)視野范圍人眼的像素極限是1億1600萬(wàn)像素，對應分辨率要達到16K才能實(shí)現無(wú)鋸齒顯示！采用Micro LED，一方面采用20微米間距燈珠即可使頭顯設備實(shí)現16K顯示，另一方面，Micro LED采用像素級定址、各個(gè)單獨驅動(dòng)的方式，采用眼球追蹤技術(shù)，可以著(zhù)重渲染人眼聚焦的范圍，更適合于實(shí)現局部分辨率的強化和背景的虛化，模擬真實(shí)人眼視覺(jué)效果！

 

　　

　　Micro LED在納秒級別的響應速度保證低余暉顯示，降低延時(shí)。顯示器上的像素點(diǎn)被點(diǎn)亮的時(shí)間為余輝時(shí)間，LCD屏由于背光源發(fā)光，像素點(diǎn)在每一幀都是被點(diǎn)亮的，稱(chēng)為全余暉屏。余暉會(huì )導致視覺(jué)效果產(chǎn)生拖尾現象，從而使人產(chǎn)生頭暈。為了降低余暉，除了提高刷新率外，就是增加反應速度。VR設備延時(shí)的最主要原因是顯示屏延時(shí)，占比達60%以上。Oculus的總延時(shí)為19.3ms，其中顯示屏延時(shí)為13.3ms。Micro LED響應速度媲美OLED顯示，有望將顯示屏延時(shí)降至當前的十分之一。故我們認為Micro LED是應用在VR器件商的優(yōu)異屏幕選擇。

　　

　　

　　LED顯示屏由商業(yè)顯示過(guò)渡向消費級顯示。LED顯示技術(shù)逐漸從商業(yè)級顯示切入消費級顯示，其已經(jīng)吸引了蘋(píng)果和索尼這兩家追求技術(shù)極致的消費電子巨頭，在該技術(shù)的發(fā)展歷程扮演著(zhù)引導者的角色。索尼和蘋(píng)果在LED顯示領(lǐng)域代表兩大技術(shù)與應用方向:

　　

　　索尼瞄準大屏應用

　　

　　l索尼瞄準以商用顯示及高端家庭影院為代表的大尺寸Micro LED顯示。目前索尼220英寸4KMicro LED顯示屏售價(jià)為1.2億日元，約合700萬(wàn)人民幣。索尼也將繼續發(fā)力Micro LED技術(shù)在電視大屏領(lǐng)域的應用。Micro LED微型化技術(shù)何時(shí)進(jìn)入應用量產(chǎn)階段，備受業(yè)界關(guān)注，日前，Sony在美國消費電子展(CES)推出最新的CLEDIS大型顯示器，凸顯Micro LED在商用顯示器市場(chǎng)即將開(kāi)啟新戰場(chǎng)。

　　

　　蘋(píng)果布局Micro LED中小尺寸顯示

　　

　　l蘋(píng)果瞄準的則是以手表、手機為代表的中小尺寸顯示，其運用到的技術(shù)正是Micro LED技術(shù)，即LED的微縮化與矩陣化技術(shù)。為了使LED顯示屏在手機、手表上也保持較高的分辨率，Micro LED燈珠間距需要遠小于小間距屏：Micro LED燈珠間距在1-100μm，其間距是當今最先進(jìn)的P0.7小間距顯示的1/700-1/7！Micro LED采用的技術(shù)手段也與傳統的小間距LED完全不同，摒棄了傳統的LED芯片封裝->貼合基板->顯示的形式，采用芯片“無(wú)封裝”結構，通過(guò)轉移技術(shù)將裸芯片直接連接于基板上。Micro LED概念最早由初創(chuàng )公司luxvue提出，蘋(píng)果于2014年5月收購luxvue，并于2015年4月于臺灣龍潭設廠(chǎng)研發(fā)，完成對Micro LED的技術(shù)儲備。

　　

　　為什么蘋(píng)果要布局Micro LED?目前中小尺寸顯示屏的發(fā)展趨勢是從LCD液晶屏向OLED屏發(fā)展，而OLED又是三星一家獨大，從技術(shù)儲備上看，蘋(píng)果并不占據優(yōu)勢。從蘋(píng)果的戰略角度而言，布局Micro LED，可以減少在顯示屏領(lǐng)域對三星的依賴(lài)，因此我們預計蘋(píng)果一旦Micro LED技術(shù)成熟，蘋(píng)果將會(huì )有意愿將其應用到其消費電子產(chǎn)品領(lǐng)域。從過(guò)往的經(jīng)驗而言，蘋(píng)果若在A(yíng)ppleWatch引入Micro LED，并最終延伸到手機屏，將會(huì )引發(fā)效仿效應，Micro LED或再次引領(lǐng)一輪消費電子流行潮流。

　　

　　1.3.2.核心技術(shù)日漸成熟

　　

　　Micro LED技術(shù)逐漸成熟：Luxvue作為Micro LED的“創(chuàng )始人”，已經(jīng)儲備了60多項涵蓋從mircoLED驅動(dòng)、電極結合、批量生產(chǎn)的相關(guān)專(zhuān)利；Leti開(kāi)發(fā)的單色Micro LED屏幕亮度已經(jīng)達到百萬(wàn)nits；X-celeprint推出轉印方案，解決Micro LED核心技術(shù)難題，燈珠轉印問(wèn)題。伴隨Micro LED技術(shù)日漸成熟，其商用化進(jìn)程也有望急速推進(jìn)：根據TrendForce預計，Micro LED應用將率先從小尺寸引入市場(chǎng)，在2018年配有Micro LED的智慧型穿戴裝置（智能手表）就有希望實(shí)現量產(chǎn)。

　　

　　1.3.3.內生外延，產(chǎn)業(yè)鏈上下游加碼Micro LED投資

　　

　　Micro LED資本投入提速，產(chǎn)業(yè)鏈上下游從終端、芯片、屏幕等各個(gè)企業(yè)通過(guò)內生、外延等方式積極開(kāi)發(fā)Micro LED成品：芯片端，LED芯片巨頭晶電、三安、日亞化、隆達、華燦都在積極布局Micro LED技術(shù)。應用端，蘋(píng)果&索尼積極推進(jìn)Micro LED產(chǎn)品落地。而面板大廠(chǎng)夏普（鴻海）也開(kāi)始發(fā)力Micro LED，公司透過(guò)子公司CyberNet投資約資1,000萬(wàn)美元取得Micro LED相變轉移技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)eLux45.45%股份，屆時(shí)泛鴻海集團將成為eLux最大股東。產(chǎn)業(yè)鏈上下游對Micro LED投資熱情高漲，我們認為Micro LED產(chǎn)品落地時(shí)間將提速。

　　

　　1.3.4.MiniLED技術(shù)突飛猛進(jìn)，推進(jìn)Micro LED商用進(jìn)程

　　

　　MiniLED技術(shù)近半年在業(yè)界引爆熱潮，被視為OLED到Micro LED的過(guò)渡技術(shù)。相比于Micro LED，MiniLED技術(shù)難度低些，更容易實(shí)現量產(chǎn),并且可以大量開(kāi)發(fā)液晶顯示背光源市場(chǎng)，產(chǎn)品經(jīng)濟性更佳。2017年，晶電、隆達電子、三安光電等大廠(chǎng)相繼布局，推動(dòng)MiniLED技術(shù)突飛猛進(jìn)。

　　

　　群創(chuàng )光電積極投入MiniLED背光面板，由于MiniLED在色彩對比性以及銳利度均可與OLED匹敵，因此群創(chuàng )積極投入MiniLED背光技術(shù)，大陸手機品牌廠(chǎng)包含華為、小米均與群創(chuàng )共同合作設計產(chǎn)品，今年今年下半年開(kāi)始供應，進(jìn)入量產(chǎn)。同時(shí)，值得一提的是，群創(chuàng )光電深耕多年研發(fā)主動(dòng)式次毫米發(fā)光二極體（AMMiniLED）技術(shù)，作為Micro LED問(wèn)世前的中期戰略產(chǎn)品。在2018年美國消費性電子展（CES）中，群創(chuàng )所開(kāi)發(fā)的第一個(gè)AMMiniLED車(chē)用面板，也正式于全球首度公開(kāi)亮相。群創(chuàng )此次展出具有數千調光區域的10.1英寸AMMiniLED產(chǎn)品，有別于其他廠(chǎng)商研發(fā)的MiniLED，群創(chuàng )差異化技術(shù)在于采用TFT形成的主動(dòng)式矩陣電路（ActiveMatrix，簡(jiǎn)稱(chēng)AM）來(lái)驅動(dòng)MiniLED，相較傳統LED背光源驅動(dòng)電路架構需使用過(guò)多元件的MiniLED，AMMiniLED性能優(yōu)勢強，且較非AMMiniLED更具有價(jià)格競爭優(yōu)勢。在此次大會(huì )中，LGDisplay首次公開(kāi)展示65英寸UHD可卷曲電視和55英寸透明顯示產(chǎn)品、松下推出兩款率先支持HDR10+標準的OLED電視。

　　

　　從MiniLED到AMMiniLED，MiniLED技術(shù)的迅速發(fā)展定將加快Micro LED的發(fā)展進(jìn)程。

　　

　　

　　Micro LED技術(shù)工藝按照實(shí)現方式的不同，可以分為芯片級焊接外延級焊接和薄膜轉移三種：

　　

　　芯片級焊接（chipbonding）：將LED直接進(jìn)行切割成微米等級的Micro LEDchip，再利用SMT技術(shù)或COB技術(shù)，將微米等級的Micro LEDchip一顆一顆鍵接于顯示基板上。

　　

　　外延級焊接（waferbonding）：在LED的磊晶薄膜層上用感應耦合等離子離子蝕刻(ICP)，直接形成微米等級的Micro-LED磊晶薄膜結構，再將LED晶圓(含磊晶層和基板)直接鍵接于驅動(dòng)電路基板上，，最后使用物理或化學(xué)機制剝離基板，僅剩Micro-LED磊晶薄膜結構于驅動(dòng)電路基板上形成顯示像素。

　　

　　薄膜轉移：通過(guò)剝離LED基板，以一暫時(shí)基板承載LED外延薄膜層，再利用感應耦合等離子蝕刻，形成微米等級的Micro LED外延薄膜結構；或者先利用感應耦合等離子離子蝕刻，形成微米等級的Micro LED外延薄膜結構，通過(guò)剝離LED基板，通過(guò)暫時(shí)基板承載LED外延薄膜結構。

　　

　　目前以索尼為代表的Micro LED大屏應用主要采用芯片級焊接的方式；而蘋(píng)果則在推動(dòng)薄膜轉移技術(shù)，該技術(shù)作為中小尺寸顯示更為合適。在此我們僅對蘋(píng)果擬采用的薄膜轉移技術(shù)作介紹：Micro LED薄膜轉移技術(shù)流程可以簡(jiǎn)單描述為1）Micro LED芯片制備；2）Micro LED芯片轉移；3）搭載TFT基板和驅動(dòng)IC，既而完成產(chǎn)品封裝。

　　

　　2.2.Micro LED芯片制備，倒裝工藝是大趨勢

　　

　　Micro LED芯片制備流程與傳統LED芯片類(lèi)似，僅以藍綠光芯片為例介紹生產(chǎn)流程：通過(guò)在藍寶石襯底材料上進(jìn)行PSS圖形襯底、LED外延生長(cháng)、芯片加工處理等技術(shù)環(huán)節，出產(chǎn)LED芯片。Micro LED芯片從尺寸上相對普通LED芯片小得多（幾微米），但是現有的刻蝕技術(shù)完全可以處理微米級別的芯片，從技術(shù)上并不存在特別大的難點(diǎn)。以下僅對LED芯片生長(cháng)的各環(huán)節作簡(jiǎn)要介紹：

　　

　　Ø藍寶石襯底生長(cháng)外延片（藍綠光LED正裝芯片）

　　

　　首先對藍寶石材料進(jìn)行PSS圖形化襯底，該步驟的目的是通過(guò)在藍寶石襯底表面上刻蝕出規則排列的圓錐體來(lái)實(shí)現光在襯底內的多次反射，從而達到芯片外部光的取光效率的提升。此后在PSS層上依次生長(cháng)非摻雜緩沖層（U-GaN）、N型氮化鎵（N-GaN）、有源層（MQWs,多量子阱）、P型氮化鎵層（P-GaN）。

　　

　　圖19：圖形化藍寶石襯底（PSS工藝）

　　

　　圖20：藍寶石襯底上生長(cháng)外延片

　　

　　ØLED芯片處理

　　

　　LED外延片再經(jīng)過(guò)一系列光刻、臺階刻蝕、ITO蒸鍍、電極制作、保護層蒸鍍、襯底減薄、背鍍反射層等工藝，形成LED芯片結構。

　　

　　Micro LED極有可能采取倒裝LED芯片工藝

　　

　　LED芯片結構分為正裝結構，垂直結構和倒裝結構。由于垂直結構應用較少，此處僅討論正裝結構和倒裝結構。相對正裝LED芯片，倒裝LED芯片自下而上分別為藍寶石襯底、N型GaN層、有源層、P型GaN層、金屬層、P電極和N電極。倒裝結構與正裝結構主要差別：1）倒裝芯片正負電極可以設計在一個(gè)平面上，使連接更方便；2）LED倒裝芯片電極與電極間不需要金線(xiàn)連接，正負極直接與基板接觸，結構更簡(jiǎn)單，且可靠性提高；3）剝離藍寶石基板，取光效率增加。

　　

　　Micro LED后續制作過(guò)程中（參看下一節），將通過(guò)轉移技術(shù)，使芯片的正負電極直接與基板連接。由于芯片尺寸非常小，留給正裝芯片的引線(xiàn)布線(xiàn)空間不足，故我們預計Micro LED將更可能采用電極和基板直接鍵合的形式，這個(gè)形式就非常類(lèi)似于芯片的倒裝封裝結構，只是芯片倒裝封裝結構是封裝一顆燈珠，而Micro LED顯示屏是將數顆Micro LED燈珠先與基板直接連接，再進(jìn)行封裝。

　　

　　從芯片角度看，直接將芯片的正負極與基板連接，當然可以把正裝芯片倒過(guò)來(lái)，用正裝芯片實(shí)現倒裝封裝形式。但是1）正裝芯片的p電極和n電極不在一個(gè)平面上，要用正裝芯片實(shí)現倒裝封裝，需要制作特殊的金屬凸點(diǎn)，使不在一個(gè)平面上的p電極和n電極與基板相連；2）此外正裝芯片包含金線(xiàn)，本身結構也更復雜，影響LED燈珠的出光效果。我們預期Micro LED將采用正負極在一個(gè)平面上，且出光效率更高的類(lèi)倒裝芯片結構。而除了倒裝結構外，垂直結構LED芯片也比較適合做為Micro LED，在此不作展開(kāi)。

　　

　　2.3.Micro LED芯片轉移工藝：Micro LED工藝最難點(diǎn)

　　

　　Micro LED芯片為何要轉移？傳統的LED顯示屏在芯片切割完畢后，直接對整顆LED燈珠進(jìn)行封裝，驅動(dòng)電路與芯片正負極連接，驅動(dòng)封裝好的燈珠；而Micro LED在光刻步驟后，并不會(huì )直接封裝，這是由于封裝材料會(huì )增大燈珠體積，無(wú)法實(shí)現燈珠間的微距。需要將LED裸芯片顆粒直接從藍寶石基板轉移到硅基板上，將燈珠電極直接與基板相連。

　　

　　目前Micro LED轉移的技術(shù)有范德華力、靜電吸附、相變化轉移和雷射激光燒蝕四大技術(shù)。其中范德華力、靜電吸附及雷射激光燒蝕方式是目前較多廠(chǎng)商發(fā)展的方向，但是elux的專(zhuān)利布局是在相變化修復及轉移的技術(shù)方面，較其他公司的轉移技術(shù)有著(zhù)不同之處。

　　

　　Luxvue采用離子薄膜轉移技術(shù)進(jìn)行Micro LED的燈珠轉移，首先將燈珠金屬層與臨時(shí)基板進(jìn)行貼合，通過(guò)范德華力、靜電吸附及雷射激光燒蝕等方式以吸附Micro LED燈珠。此后，通過(guò)物理或化學(xué)腐蝕的方法，除去藍寶石基板，僅保留此前光刻后成型的Micro LED燈珠。之后將生成好的燈珠向硅基板上轉移，完成Micro LED顯示屏的制備。

　　

　　2.3.2.Micro LED芯片轉移難點(diǎn)逐步攻克，技術(shù)穩步推進(jìn)

　　

　　整個(gè)流程聽(tīng)上去很簡(jiǎn)單，但是整個(gè)轉移的過(guò)程卻有很多的難點(diǎn)：

　　

　　1）Micro LED芯片需要進(jìn)行多次轉移（至少需要從藍寶石基板->臨時(shí)基板->硅基板），且每次轉移燈珠量非常大，對轉移工藝的穩定性和精確度要求非常高。

　　

　　2）對于RGB全彩顯示而言，由于每一種工藝只能生產(chǎn)一種顏色的燈珠芯片，故需要將紅色、藍色、綠色燈珠芯片分別進(jìn)行轉移，需要非常精準的工藝進(jìn)行燈珠的定位，極大的增加了轉移的工藝難度。

　　

　　2.3.3.Micro LED彩色化——批量轉移

　　

　　市面上已經(jīng)有較為成型的燈珠批量轉移技術(shù)：美國企業(yè)X-Celeprint針對芯片轉移工藝，已經(jīng)成功的推出了μTP技術(shù)，利用該技術(shù)可以將大量小型器件（如Micro LED燈珠）在同一時(shí)間內進(jìn)行精確移動(dòng)。μTP技術(shù)簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，就是使用彈性印模結合高精度運動(dòng)控制打印頭，有選擇的拾取微型元器件的陣列，并將其打印到目標基板上。該技術(shù)可以通過(guò)定制化的設計實(shí)現單次拾取和打印多個(gè)器件，從而短時(shí)間內高效的轉移成千上萬(wàn)個(gè)器件，這項工藝流程可以實(shí)現大規模并行處理，實(shí)現批量Micro LED轉移。

　　

　　2.3.4.Micro LED彩色化的替代方案

　　

　　由于采用3色LED燈珠進(jìn)行轉移較為復雜，市場(chǎng)上誕生了諸多Micro LED替代方案：如Leti推出的iLEDMatrix采用量子點(diǎn)進(jìn)行全彩顯示，此種方法主要是利用紫外Micro LED發(fā)出的光來(lái)激發(fā)紅綠藍三色的發(fā)光介質(zhì)，如熒光粉或量子點(diǎn)，產(chǎn)生不同顏色的光，并進(jìn)行配比實(shí)現全彩色。這種方式只需要單色LED燈珠即可實(shí)現全彩顯示，簡(jiǎn)化LED燈珠轉移過(guò)程。白光LED+量子點(diǎn)技術(shù)或在全彩LED技術(shù)成熟前，成為一種良好的替代方案。其他的Micro LED彩色化方案還包括光學(xué)棱鏡合成法等。

　　

　　2.4.Micro LED驅動(dòng)方式：主動(dòng)+被動(dòng)

　　

　　類(lèi)似于LCD顯示屏，Micro LED驅動(dòng)方式也分為被動(dòng)矩陣驅動(dòng)方式和主動(dòng)矩陣驅動(dòng)方式（TFT）兩種結構。LED電極通過(guò)金屬鍵合工藝實(shí)現與硅基的CMOS驅動(dòng)背板連接。在被動(dòng)式矩陣驅動(dòng)方式中，由一組水平像素共用同一性質(zhì)的一個(gè)電極，一組垂直像素共用同一性質(zhì)的一個(gè)電極，組成矩陣型結構，制作成本和技術(shù)門(mén)檻較低。在主動(dòng)式矩陣驅動(dòng)方式中，將像素的陰極共用N型GaN層形成連接，所有像素的陽(yáng)極與硅基CMOS驅動(dòng)背板進(jìn)行金屬鍵合，形成每個(gè)像素單獨尋址、獨立控制。

　　

　　3、Micro LED替代誰(shuí)是贏(yíng)家？芯片企業(yè)迎產(chǎn)業(yè)鏈整合良機

　　

　　我們假設到2019年Micro LED開(kāi)始在智能手表中滲透，2019-2021年滲透率分別為20%，30%和50%；2020年Micro LED開(kāi)始在VR/AR設備中滲透，2020-2021年滲透率分別為20%和30%，暫時(shí)先不考慮智能手機中Micro LED的滲透。我們在以下模型中假設智能手表采用4K屏幕，對應800萬(wàn)顆Micro LED(rgb像素)；VR/AR設備采用8K屏幕，對應3300萬(wàn)顆Micro LED。

　　

　　我們測算2019-2021年全球Micro LED消耗量，等效兩寸晶圓片數量分別約為87萬(wàn)片，327萬(wàn)片和488萬(wàn)片?？紤]2016年全球消耗的LED兩寸片為8000萬(wàn)片，到2021年Micro LED對芯片需求占到當前整個(gè)LED芯片年需求的5%左右。對應LED產(chǎn)值約80億元/年。

　　

　　而如果智能手表和VR/AR設備中實(shí)現Micro LED100%滲透，則將消耗超過(guò)1400萬(wàn)片2寸片/年，占當前整個(gè)LED芯片年需求的20%左右。對應LED年產(chǎn)值超過(guò)200億每年！

　　

　　

　　Micro LED對產(chǎn)業(yè)鏈的拉動(dòng)作用與小間距LED有所不同。從產(chǎn)業(yè)鏈端來(lái)看，小間距LED和Micro LED的產(chǎn)業(yè)鏈上游均為外延片生長(cháng)和芯片制造環(huán)節，但是中游和下游產(chǎn)業(yè)鏈上，小間距LED和Micro LED不同。1）中游：小間距LED的中游為傳統的LED封裝，現在一般采用無(wú)引線(xiàn)的smd封裝形式；Micro LED無(wú)需對單個(gè)LED芯片單獨封裝，燈珠通過(guò)轉移技術(shù)直接嵌于基板上，既而對整個(gè)基板進(jìn)行封裝。2）下游：小間距LED屏幕直接采用驅動(dòng)電路連接各個(gè)燈珠進(jìn)行驅動(dòng)，而Micro LED顯示屏則類(lèi)似OLED/lcd顯示屏的驅動(dòng)方式，采用驅動(dòng)芯片+TFT基板方式進(jìn)行驅動(dòng)。

　　

　　3.3.LED芯片企業(yè)是Micro LED升級浪潮中的最大受益方

　　

　　一方面，從Micro LED成本構成看，芯片成本占絕大部分。我們在3.1節就測算過(guò)Micro LED在智能手表和VR/AR領(lǐng)域完全滲透后，就將打開(kāi)200億/年的芯片市場(chǎng)，相當于現有市場(chǎng)需求增加20%以上。LED芯片企業(yè)將成為Micro LED最大受益方！

　　

　　而除了燈珠需求大幅增長(cháng)外，我們認為芯片企業(yè)還有其他的發(fā)展機會(huì )！LED芯片企業(yè)或更多的參與到micro芯片中下游產(chǎn)業(yè)鏈：Micro LED取消了傳統燈珠封裝環(huán)節，上游芯片外生長(cháng)和中游芯片轉移聯(lián)系極為緊密，上游企業(yè)完全有可能參與后端轉移、封裝工藝！取代傳統封裝企業(yè)的地位。從現在的實(shí)際情況來(lái)看，包括三安、瑞豐、晶電等都在通過(guò)外延、內生的方式布局Micro LED轉移技術(shù)。

　　

　　3.4瑞豐光電

　　

　　“瑞豐光電”11年在深交所上市，是國內LED封裝首家上市企業(yè)，國家半導體照明技術(shù)標準工作組成員單位、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟成員單位、國家863課題承接單位、深圳市首批國家級高新技術(shù)企業(yè)、深圳市LED產(chǎn)業(yè)標準聯(lián)盟理事單位。

　　

　　3.4.1國內LED封裝領(lǐng)軍企業(yè)，新產(chǎn)品多元化布局

　　

　　瑞豐光電成立于2000年，專(zhuān)業(yè)從事LED封裝及提供相關(guān)解決方案的國家級高新技術(shù)企業(yè),也是國內封裝領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè)，公司2002年建立國內第一條SMDLED封裝生產(chǎn)線(xiàn)，是國內最早從事SMDLED封裝的企業(yè)之一，是國內SMDLED封裝領(lǐng)域的先行者及LED封裝領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先者公司。2016年公司營(yíng)收突破十億元大關(guān)，實(shí)現營(yíng)收11.8億元、凈利潤0.5億元；2017年公司業(yè)務(wù)仍保持較高增長(cháng)勢頭。2018年1月31號發(fā)布第1次2017年年報業(yè)績(jì)預告，公司業(yè)績(jì)預增,預測:凈利潤約12100.95萬(wàn)元~13600.56萬(wàn)元,變動(dòng)幅度為:142%~171.99%。

　　

　　主營(yíng)業(yè)務(wù)

　　

　　公司專(zhuān)業(yè)從事LED封裝業(yè)務(wù)，業(yè)務(wù)模式是從上游三安光電等LED芯片供應商采購芯片并按照客戶(hù)需求進(jìn)行定制化設計和封裝以及產(chǎn)品制造，下游主要包括照明和LCD顯示屏的背光源兩大類(lèi)。照明和中大尺寸LED背光源占公司主要收入結構，2016年照明LED和中大尺寸LED產(chǎn)品收入占比分別為46%和45%，合計超過(guò)90%收入貢獻，目前小尺寸LED背光產(chǎn)品收入規模很小。

　　

　　公司產(chǎn)品豐富，技術(shù)領(lǐng)先，與LED產(chǎn)業(yè)鏈各公司均保持持續良好的合作關(guān)系，全球LED巨頭歐司朗和飛利浦、國內LED照明品牌歐普、國內三大TV品牌海信、創(chuàng )維、TCL等均是公司長(cháng)期合作伙伴和穩定客戶(hù)。

　　

　　布局新產(chǎn)品

　　

　　在原有傳統LED照明和背光業(yè)務(wù)的基礎上，公司積極布局下游高成長(cháng)的新產(chǎn)品和新市場(chǎng)，主要包括汽車(chē)LED照明和激光投影等領(lǐng)域，2017年H1公司LED新產(chǎn)品收入規模1.09億，實(shí)現超過(guò)400%的增速，收入占比14%，發(fā)展迅速。

　　

　　3.4.2LED行業(yè)供需結構優(yōu)化，公司盈利能力有望提升

　　我國LED產(chǎn)業(yè)是全球的重要市場(chǎng)，目前我國LED行業(yè)市場(chǎng)規模近5000億元，過(guò)去5年CAGR接近30%。目前LED下游需求中，背光市場(chǎng)基本接近穩定，照明市場(chǎng)將是未來(lái)驅動(dòng)全球LED產(chǎn)業(yè)規模增長(cháng)的主要因素；根據Digitimes數據，2016年全球LED照明市場(chǎng)滲透率為31.3%，仍處于較低水平。

　　

　　隨著(zhù)未來(lái)LED照明滲透率的持續提升，全球LED照明市場(chǎng)規模將持續穩定增長(cháng)，根據咨詢(xún)機構ZionMarketResearch數據，2016年全球LED照明市場(chǎng)規模為260億美元，預計到2022年將增長(cháng)到540億美元，未來(lái)5年行業(yè)平均增速超過(guò)12%，仍屬于持續高增長(cháng)成長(cháng)性行業(yè)。

　　

　　隨著(zhù)過(guò)去幾年大陸政府對LED芯片投資的巨額支持，我國LED芯片產(chǎn)能規模飛速發(fā)展，已經(jīng)全球最大產(chǎn)能所在地：根據LEDinside數據，2015年大陸LED芯片產(chǎn)能占全球47%，其次是臺灣和日本，按照近兩年各家LED芯片廠(chǎng)的產(chǎn)能擴張規劃，到2017年年底，大陸LED芯片廠(chǎng)產(chǎn)能全球份額進(jìn)一步提升到54%。

　　

　　憑借下游巨大的LED應用市場(chǎng)和上游成熟的LED芯片供應基礎，我國LED封裝市場(chǎng)全球占比非常高，根據LEDinside統計數據，2015年我國LED封裝全球份額已經(jīng)超過(guò)70%，并且隨著(zhù)國內公司規模的擴張和海外公司的逐步退出，我國LED封裝的全球話(huà)語(yǔ)權將進(jìn)一步提升。

　　

　　供需改善+集中度持續提升，產(chǎn)業(yè)鏈盈利能力改善我國LED產(chǎn)業(yè)國內的競爭環(huán)境和結構在持續優(yōu)化，主要體現在我國LED芯片和LED封裝的行業(yè)集中度的持續提升。

　　

　　2016年我國LED芯片前三大供應商分別是三安光電、華燦光電和澳洋順昌，2016年分別占全國產(chǎn)能27%、13%和3%，CR3=43%，龍頭憑借資金、客戶(hù)等優(yōu)勢積累得以存活，行業(yè)集中度顯著(zhù)提升。上游芯片企業(yè)的格局穩定也導致了價(jià)格波動(dòng)收斂、日趨平穩。

　　

　　LED封裝技術(shù)壁壘和投資門(mén)檻均低于LED芯片環(huán)節，我國LED封裝行業(yè)企業(yè)經(jīng)歷過(guò)12-14年的擴張，隨著(zhù)行業(yè)增速的回落、競爭的加劇，我國LED封裝行業(yè)進(jìn)入洗盤(pán)階段，行業(yè)競爭結構得到優(yōu)化。

　　

　　目前LED封裝環(huán)節面臨上游供應商集中化的趨勢和下游產(chǎn)品降價(jià)壓力，我們判斷LED封裝行業(yè)里中小公司將面臨嚴峻壓力，而行業(yè)內領(lǐng)先公司的規模優(yōu)勢和成本優(yōu)勢將愈發(fā)突出，將持續受益于行業(yè)供給結構改善，從而能夠在相當程度上緩解所面臨的壓力，保證公司盈利能力的穩定改善。

　　

　　瑞豐光電在LED照明和封裝領(lǐng)域均深耕多年，作為國內規模和技術(shù)領(lǐng)先的LED封裝企業(yè)，我們判斷未來(lái)2-3年LED封裝行業(yè)的競爭格局的優(yōu)化將提升公司整體綜合競爭力以及盈利能力。

　　

　　3.4.3與深創(chuàng )投戰略合作，長(cháng)期發(fā)展前景可期

　　

　　2017年7月，公司與深創(chuàng )投簽訂戰略合作協(xié)議，雙方利用各自?xún)?yōu)勢，基于雙方對LED產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢的認同，雙方規劃在如下領(lǐng)域重點(diǎn)進(jìn)行產(chǎn)業(yè)整合：

　　

　?。?）尋求全球LED照明產(chǎn)業(yè)重構機遇，借助雙方產(chǎn)業(yè)和資本杠桿在全球范圍內尋求投資并購機會(huì )，提升公司行業(yè)競爭力；

　　

　?。?）重點(diǎn)關(guān)注車(chē)用照明相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，在國內外市場(chǎng)尋求投資并購或合作機會(huì )，加快公司在車(chē)用LED照明和智能駕駛相關(guān)領(lǐng)域的生態(tài)布局，協(xié)助公司在細分領(lǐng)域做大做強；

　　

　?。?）建立新一代半導體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，如激光光源、Micro LED等相關(guān)技術(shù)，在全球范圍內尋求項目和技術(shù)合作機會(huì )，加快公司在此類(lèi)領(lǐng)域的戰略性突破。

　　

　　

　　3.5.1主營(yíng)收入持續提升，龍頭地位無(wú)可撼動(dòng)。

　　

　　三安光電公司是目前國內成立最早、規模最大的全色系超高亮度發(fā)光二極管外延及芯片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)基地，是國家發(fā)改委批準的“國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程”企業(yè)、國家科技部認定的“半導體照明工程龍頭企業(yè)”，承擔國家“863”、“973”計劃等多項重大課題，并擁有國家級博士后科研工作站及國家級企業(yè)技術(shù)中心。

　　

　　公司2017年度業(yè)績(jì)預告，實(shí)現歸屬于上市公司股東凈利潤為3.15億元—3.25億元，同比增長(cháng)45.39%-50.00%。2012年至2017年，公司的營(yíng)收和凈利潤穩步增長(cháng)。近三年的凈利潤同比增長(cháng)率更是連創(chuàng )新高。業(yè)績(jì)增長(cháng)主要由于下游需求強勁，新增產(chǎn)能逐漸到位，并且公司是行業(yè)龍頭，在規模、毛利、凈利方面都處于領(lǐng)先地位。

　　

　　公司主營(yíng)

　　

　　三安主要從事LED芯片的研發(fā)，生產(chǎn)和銷(xiāo)售，其超高亮度LED芯片具有國際領(lǐng)先的性能。主導產(chǎn)品有LED道路照明系列、LED工業(yè)照明系列、LED室內照明系列、LED光源系列等100多個(gè)品種。無(wú)論是產(chǎn)品范圍還是市場(chǎng)占有率，三安都是該領(lǐng)域的龍頭企業(yè)。

　　

　　其主營(yíng)業(yè)務(wù)保持高速增長(cháng)，2016的營(yíng)收中，芯片、LED產(chǎn)品占到了89.46%，在2017年的利潤預測公告中，公司也表示，報告期內，LED需求旺盛，致使公司2017年度實(shí)現的歸屬于母公司所有者主營(yíng)業(yè)務(wù)凈利潤比上年同期有較大幅度增長(cháng)。

　　

　　化合物半導體業(yè)務(wù)穩步推進(jìn)

　　

　　三安此前已投資建設6寸GaAs和GaN線(xiàn)，已經(jīng)具備GaAsHBT/pHEMT和GaNSBD/FET方面的技術(shù)實(shí)力。在消費電子射頻器件和IC占比逐漸加大的背景下，三安光電的GaAs、GaN業(yè)務(wù)將迎來(lái)巨大的發(fā)展機遇。

　　

　　2017年12月公司公告稱(chēng)：公司與福建省泉州市人民政府和福建省南安市人民政府簽署《投資合作協(xié)議》的議案。根據協(xié)議約定：公司擬在福建省泉州芯谷南安園區投資注冊成立一個(gè)或若干項目公司，投資總額333億元。全部項目五年內實(shí)現投產(chǎn)，七年內全部項目實(shí)現達產(chǎn)，經(jīng)營(yíng)期限不少于25年。產(chǎn)業(yè)化項目為：1、高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；2、高端砷化鎵LED外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；3、大功率氮化鎵激光器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；4、光通訊器件的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；5、射頻、濾波器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；6、功率型半導體（電力電子）的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目；7、特種襯底材料研發(fā)與制造、特種封裝產(chǎn)品應用研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項目。達產(chǎn)后預計年收入達270億，接近目前公司年收入的3倍，化合物半導體業(yè)務(wù)的穩步推進(jìn)，勢必會(huì )成為公司成長(cháng)新的增長(cháng)極。

　　

　　3.5.2LED行業(yè)集中度提升，龍頭有望持續高增長(cháng)

　　

　　據相關(guān)上市公司年報披露數據，2016年我國LED芯片前三大供應商分別是三安光電、華燦光電和澳洋順昌，2016年分別占全國產(chǎn)能27%、13%和3%，CR3=43%，按照目前國內各家LED芯片廠(chǎng)的產(chǎn)能擴張規劃，各家份額均有顯著(zhù)提升，排名前三的三安、華燦、澳洋三家的集中度持續提升，預計到2018年該三家公司全國份額分別為31%、24%和16%。并且CR3超過(guò)70%，主要由于前期行業(yè)激烈競爭，價(jià)格戰后中小廠(chǎng)商被大幅擠出，而龍頭憑借資金、客戶(hù)等優(yōu)勢積累得以存活，行業(yè)集中度顯著(zhù)提升。上游芯片企業(yè)的格局穩定也導致了價(jià)格波動(dòng)收斂、日趨平穩。三安龍頭地位更加牢固。在集中度持續提升趨勢下，三安的毛利會(huì )相對穩定，新增產(chǎn)能將在未來(lái)持續釋放，公司業(yè)績(jì)有望維持高增長(cháng)。

　　

　　3.5.3與三星戰略合作，有望引領(lǐng)未來(lái)市場(chǎng)

　　

　　公司于2月6日發(fā)布公告：全資子公司廈門(mén)三安光電有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“廈門(mén)三安”）于2018年2月5日與SamsungElectronicsCo.,Ltd.（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“三星電子”）簽訂了《預付款協(xié)議》，合同約定：為了建立長(cháng)期的商業(yè)合作關(guān)系，三星電子將支付廈門(mén)三安1,683萬(wàn)美元預付款，以換取廈門(mén)三安產(chǎn)線(xiàn)生產(chǎn)一定數量的用于顯示產(chǎn)品(“顯示屏”)的LED芯片，若三星電子每月的訂單量有可能超過(guò)協(xié)議約定的最高數量，雙方將提前討論擴產(chǎn)的條件。廈門(mén)三安和三星電子將持續討論Micro LED戰略合作，待廈門(mén)三安達到大規模量產(chǎn)產(chǎn)能時(shí)，三星電子將考慮廈門(mén)三安作為首要供應方，并協(xié)商探討一個(gè)雙方都可以接受的供應協(xié)議。通過(guò)此次戰略性合作，三星電子期望可以確保戰略性的、穩定的供應方，廈門(mén)三安期望可以引領(lǐng)Micro LED市場(chǎng)。

　　

　?。?）三安作為全球的Led芯片的龍頭企業(yè)，資本會(huì )更加向其集中。據LEDinside統計，三安光電在全球的市場(chǎng)占有率為17%，行業(yè)集中帶來(lái)的市場(chǎng)占有率提升將進(jìn)一步明顯，預計未來(lái)達到40%的占有率。我們認為公司將充分享受市場(chǎng)占有率提升帶來(lái)的紅利。

　　

　?。?）此次與三星在Micro LED方面戰略合作，體現了三安光電在Micro LED和MiniLED長(cháng)線(xiàn)的布局。早在2017年6月，三安光電在全景網(wǎng)回復投資者提問(wèn)時(shí)表示，Micro LED是未來(lái)的重點(diǎn)發(fā)展方向，公司在一兩年前就開(kāi)始在研發(fā)。據測算，Micro LED在背光和顯示屏領(lǐng)域有10倍于目前市場(chǎng)的需求，有望為三安打開(kāi)一片藍海市場(chǎng)。

　　

　　4、投資建議

　　

　　Micro LED市場(chǎng)啟動(dòng)，對LED芯片需求成倍增加，直接利好LED芯片廠(chǎng)！首推國內LED芯片領(lǐng)跑企業(yè)，積極儲備Micro LED技術(shù)的三安光電、瑞豐光電；建議關(guān)注華燦光電。